Hynix发布首款54nm制程的2GB移动DRAM
http://www.cction.com 2008-12-06 09:55 中企顾问网
本文导读：Hynix发布首款54nm制程的2GB移动DRAM，提供能源矿产、石油化工、IT通讯、房产建材、机械设备、电子电器、食品饮料、农林牧渔、旅游商贸、医药保舰交通物流、轻工纺织等行业专业研究报告
韩国半导体制造商Hynix（海力士）发布了目前世界第一款采用54nm工艺的2GB移动DRAM。
Hynix突破了目前采用MCP封装以及PoP封装的移动DRAM只有最高1GB容量密度的限制，成功实现了2GB的容量密度。新产品工作在1.2V的电压下，传输速度最高可达到400Mbps，而且通过32-bit的IO每秒可处理1.6Gigabytes的数据，其功耗也比目前的少很多。
据Hynix称，该产品已经通过了JEDEC标准认证，将会在2009年上半年实现量产。
Hynix突破了目前采用MCP封装以及PoP封装的移动DRAM只有最高1GB容量密度的限制，成功实现了2GB的容量密度。新产品工作在1.2V的电压下，传输速度最高可达到400Mbps，而且通过32-bit的IO每秒可处理1.6Gigabytes的数据，其功耗也比目前的少很多。
据Hynix称，该产品已经通过了JEDEC标准认证，将会在2009年上半年实现量产。
