2014年中国闪存芯片行业技术趋势分析

中企顾问网讯：

    1、行业的技术水平
　　
    (1)工艺节点及封装水平
　　
    工艺节点与芯片成本密切相关。在NOR Flash 领域,目前55nm~58nm 工艺节点的产品已开始大规模商用,45nm 产品也已开始研发。在NAND Flash 领域,目前20/19nm 以上工艺节点是主流的商用制程,未来主流产品将向1Y nm 发展。
　　
    工艺节点由20/19nm 转向1Y nm,能使单颗芯片的面积减少约三分之一,从而导致芯片价格大幅降低。在芯片封装工艺上,3D 封装和系统级封装(SiP)在特定领域已开始迅速发展。
　　
    (2)性能水平
　　
    闪存芯片性能可在一定程度上反映设计水平。数据传输速度方面,当前串行NOR Flash 芯片的数据传输速率约为560M bps、并行NOR Flash 芯片的数据传输速率约为800M bps,NAND Flash 产品的数据传输速率约为1.6G bps。可靠性及寿命方面,当前NOR Flash 产品的可擦写次数约为10 万次,数据存储时间约为10 年;MLC 型NAND Flash 产品的可擦写次数约为5000 次,SLC 型约为50,000次,数据存储时间约为10 年。功耗方面,15μA 为当前NOR Flash 产品的普遍水平,15-20μA 为当前NAND Flash 产品的普遍水平。
　　
    相关市场调研报告请见中企顾问网发布的《2014-2020年中国LED芯片市场监测与投资前景评估报告》

    2、行业的技术特点
　　
    该行业技术特点决定了产品应用范围,具体如下:
　　
    (1)NOR Flash 芯片技术特点为可随机存储,确保了较快的随机读取速度;可执行代码,确保可直接和处理器连接。因此,NOR Flash 芯片广泛应用于需要频繁执行各类程序的嵌入式领域,如代码存储。未来NOR Flash 芯片主要在降低成本和功耗、提升擦写编程速度、提升可靠性等方面进行技术升级。
　　
    (2)NAND Flash 芯片技术特点为非随机存储、不可执行代码,但以块为单位进行存储操作,具备较高的存储速度,适合大容量的数据存储。因此,NANDFlash 芯片主要应用于批量数据存储的领域,如大容量数据存储。由于NANDFlash 工艺节点越小,越容易出现坏块,需要软件和固件来管理坏块,技术复杂度较高。未来NAND Flash 芯片主要在降低成本、提高存储容量、提高存取速度、提升可靠性等方面进行技术升级。