2024-2030年中国手机射频前端产业发展现状与投资前景分析报告

   5G来临，射频功放材料将以GaAs主导。半导体材料的变迁历程如下：Ge(锗)、Si(硅)——GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)——SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)——SiGe(锗化硅)、SOI(绝缘层上覆硅)——碳纳米管(CNT)——石墨烯(Graphene)。当前射频功放的材料主要集中在第二代化合物半导体材料上。第一代Si材料存在高频损耗、噪声大和低输出功率密度等特点；第二代半导体材料电子迁移率高，是Si的6倍，具有直接带隙，相较第一代具有高频、高速的性能；第三代半导体原料具有较大的带宽宽度，较高的击穿电压，热导率高，电子饱和速率高，同样适用于制造高频、高温、大功率的射频组件。比较GaAs与GaN，低频领域GaAs可以承受较高工作电压，且GaN目前制造成本依然较高，5GSub-6GHz频段最适用的工艺方案是GaAs；而在毫米波领域，GaN材料凭借适用高频、高输出功率的优势，更适合作毫米波射频器件材料。