IGBT产业发展潜力

      IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新一代新型电子电力半导体器件，它是将功率MOSFET和GTR集成在一个芯片上的复合器件。功率MOSFET是单极型电压驱动器件。它具有工作速度快，输入阻抗高，热稳定性好以及驱动电路简单特点，但它导通电阻较大，电流容量也较低，而GTR是双极型电流驱动器件，其阻断电压高，载流能力强，但工作速度较慢，驱动电流大、控制电路较复杂。

      中国产业信息网（www.chyxx.com）分析师李子干指出，进入21世纪以来，作为强电－弱电接口、推进现代先进制造技术关键的电力电子正方兴未艾地在世界上发展。今后十年是中国社会从小康走向初步富裕的重要时期，作为一个发展中国家，发展电力电子正是完成工业化、推广信息化的重大举措。我们将看到今后十年有关电力电子的新思想、新理论、新技术、新材料、新产品、新应用将在政产学研各界的共同努力下，不断涌现，为持续造福于人民做出应有贡献。

      中国产业信息网发布的《2012-2016年中国半导体市场竞争格局与投资方向研究报告》中指出，目前中国IGBT 行业中高端技术已有突破，初步形成从芯片设计到芯片封装的产业链，较强的成本优势将是中国本土企业与国外公司竞争的有力手段。伴随着未来几年IGBT 市场的高速增长，国产化进程的启动将会使产业链覆盖的企业受惠。